Polvo crudo de SiC de alta pureza/polvo grueso de SiC (5N-6N)
DESCRIPCIÓN DEL PRODUCTO
El polvo de carburo de silicio de alta pureza es un material cerámico de alto rendimiento con excelentes propiedades físicas y químicas, compuesto principalmente de carburo de silicio (SiC) de alta pureza. La pureza del polvo de SiC 5N-6N suele ser del 99,999 % al 99,9999 %, con un contenido extremadamente bajo de impurezas como hierro, aluminio y oxígeno. El contenido total de impurezas debe controlarse entre el 0,001 % (10 ppm) y el 0,0001 % (1 ppm).
Los más comunes incluyen el α-SiC (sistema hexagonal, como los tipos 4H y 6H) y el β-SiC (sistema cúbico). El polvo grueso de SiC suele estar en la fase α y presenta una alta estabilidad. El rango de tamaño de partícula del polvo grueso de SiC oscila entre 10 μm y 100 μm, y la pureza del polvo crudo de SiC puede alcanzar un nivel de 5N (pureza ≥ 99,999%).
Este material de polvo grueso de SiC ha superado con creces el alcance de los abrasivos industriales o materiales refractarios comunes, el polvo crudo de SiC es el material básico central para preparar la próxima generación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento.
CARACTERÍSTICAS DEL POLVO CRUDO DE carburo de silicio
Pureza del polvo crudo de SiC: 99,999 % (5N) a 99,9999 % (6N)
Tamaño de partícula: típicamente 10–100 μm (rango de polvo grueso de SiC)
Fase cristalina: predominantemente α-SiC (politipos 6H o 4H para aplicaciones electrónicas)
Impurezas clave:
Metales (Fe, Al, Ni, Cr): <1 ppm (6N), <5 ppm (5N)
Oxígeno (O): <50 ppm
Nitrógeno (N): <20 ppm
Carbono libre (C): <0,1%
DETALLE DEL PRODUCTO
Pureza del carburo de silicio: 99,999 % (5N) a 99,9999 % (6N).
El polvo crudo de SiC de alta pureza es un material fundamental para la fabricación de alta gama y, con el desarrollo de industrias como la de las nuevas energías y la 5G, la demanda sigue creciendo.
En la industria de semiconductores, se utiliza como materia prima para el crecimiento de lingotes monocristalinos de carburo de silicio mediante el método de transferencia física de vapor (PVT). El polvo se sublima a alta temperatura, se transporta al cristal semilla para su recristalización y se transforma en un lingote monocristalino para la fabricación de una oblea. Además de la alta dureza, la alta conductividad térmica y la resistencia al choque térmico del propio carburo de silicio, la característica principal del polvo de alta pureza 5N-6N es solo una: su pureza extrema.
El polvo de carburo de silicio de alta pureza 5N-6N es la joya de la corona de la industria de los semiconductores. Ya no es un simple polvo, sino un material funcional de vanguardia que requiere una pureza extrema, una estructura cristalina precisa y un estricto control del tamaño de partícula. Su preparación supone un enorme desafío que abarca la ciencia de los materiales, la química, la termodinámica y la ingeniería, y desempeña un papel fundamental en el desarrollo de los futuros vehículos eléctricos, las nuevas energías y las tecnologías de comunicación 5G.
EMBALAJE
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