Cerámica electrónica RSiC para la cocción de elementos eléctricos
DESCRIPCIÓN DEL PRODUCTO
La cerámica de RSiC (carburo de silicio recristalizado) está revolucionando el campo de la fabricación de elementos eléctricos de cocción gracias a sus excepcionales propiedades físicas y químicas. Este material avanzado permite innovaciones revolucionarias en la cocción de elementos eléctricos, especialmente para cerámicas electrónicas de alto rendimiento y dispositivos semiconductores. Las características únicas del RSiC proporcionan un control sin precedentes del entorno de cocción, garantizando resultados óptimos para elementos eléctricos sensibles durante las etapas críticas del procesamiento térmico.
Características del RSiC en la activación de elementos electrónicos
Control de precisión de temperatura ultraalta
Funcionamiento estable a largo plazo a 1600 °C con capacidad a corto plazo hasta 1800 °C;
Uniformidad superior del campo térmico
Conductividad térmica ajustable (1,2-45 W/mK) mediante diseño de porosidad optimizado;
Capacidad de sinterización rápida: variación de la superficie de la oblea de ±0,5 °C a velocidades de calentamiento de 100 °C/min (cocción conjunta de electrodos MLCC);
Sinterización de precisión: estabilidad del campo térmico de ±0,2 °C a velocidades de calentamiento de 5 °C/min (procesamiento de sustrato LTCC);
Pureza absoluta del proceso: entorno libre de contaminación para cerámicas electrónicas sensibles;
Vida útil prolongada
MAIN PARAMETER
Industria de equipos para hornos de alta temperatura | RSiC |
Contenido de SiC (%) | ≥99% |
Densidad aparente (g/cm3) | 2,65~2,75 |
Porosidad aparente (%) | <17 |
Resistencia a temperatura ambiente (MPa) | 90~100 |
Resistencia a 1300 ℃ (MPa) | 100-110 |
Módulo de elasticidad a 20℃ | 240 |
Conductividad térmica a 1200 ℃ (W/mk) | 36 |
Expansión térmica x10-6/℃ | 4.6 |
Temperatura máxima de uso (℃) | 1650℃ |
Dureza a 20°C (Kg/mm2) | 2000 |
Tenacidad a la fractura a 20° (MpaxM1/2) | 2.0 |
SOLICITUD
Fabricación de cerámica electrónica
Condensadores cerámicos multicapa (MLCC): Las placas de sinterización RSiC evitan las reacciones entre el sustrato y el horno;
Procesamiento avanzado de cerámica electrónica con pureza y estabilidad térmica garantizadas;
Embalaje de electrónica de potencia
Sinterización de plata de MOSFET de SiC: los accesorios de RSiC adaptados al CTE (4,5 × 10⁻⁶/°C) minimizan el estrés térmico durante la sinterización a presión a 250 °C;
Optimizado para disparar elementos eléctricos en la fabricación de dispositivos de potencia;
Soluciones de embalaje avanzadas
Encapsulado a nivel de oblea a través de una vía de vidrio (TGV): los sustratos de RSiC mantienen una planitud de <1 μm/100 mm durante el reflujo de vidrio a 850 °C;
Rendimiento superior para el embalaje de elementos eléctricos de precisión;
Componentes de soporte
Placas de empuje de sinterización ligeras con resistencia a la flexión mantenida;
Portadores de obleas de precisión (especificaciones de 200 mm/300 mm);
Elementos de control de atmósfera: RSiC poroso (poros de 10-50 μm) con uniformidad de permeación de H₂ de ±2 %;
La cerámica RSiC representa el estándar de oro para la cocción de elementos eléctricos, proporcionando la precisión, la pureza y el rendimiento necesarios para la fabricación de dispositivos electrónicos de próxima generación.
EMBALAJE
NUESTRA VENTAJA
Como proveedor integral de servicios para la cadena industrial de carburo de silicio (SiC), Riseport Global Traders Ltd. (Shenyang) integra plenamente los recursos de las etapas iniciales y finales de producción en su modelo de negocio y diseño de la cadena de valor, creando una plataforma competitiva diferenciada para el comercio exterior. Combinamos soluciones de servicio personalizadas con un sistema de producción eficiente y tecnológico para garantizar una calidad superior y una rápida respuesta. Esto nos permite ofrecer un servicio global impecable y de alta calidad, asegurando el éxito de nuestros clientes en los mercados internacionales.
